회사: 삼성전자(005930, KOSPI)
기준: K-IFRS 연결, 2025년 연간 및 4Q 실적 중심
1차: 삼성전자 IR FY2025/4Q 실적 발표(공식)
2차: FnGuide(요약 재무/밸류에이션)
(A) 손익 구조 — FY25
매출 333.6조, 매출원가 202.2조(60.6%), 매출총이익 131.4조(39.4%)
판관비 87.8조(26.3%), R&D 37.7조(11.3%)
영업이익 43.6조(13.1%), 순이익 45.2조(13.6%)
(B) 자산 구조 — ’25년말
총자산 566.9조 중: 유형자산 38.0%, 현금성 22.2%(=125.8조)
재고 9.3%, 매출채권 9.0%, 투자자산 8.5%
ROE FY25 11%, 부채비율 30%, 유동비율 233%, 순차입금비율 (–23%) = ‘현금부자’
밸류에이션(전일 기준): PER 28.96 / 12M PER 9.07 / PBR 2.97 / 배당수익률 0.88%
결론: **“현금+규모+R&D로 AI 메모리 사이클을 먹는 구조”**다.
단점: 배당수익률은 박살(0%대), 주가가 먼저 질주해 후행 PER이 높다.
FY25: 매출 333.6조, 영업이익 43.6조, 순이익 45.2조
’25년말: 자산 566.9조, 현금성 125.8조, 순현금 100.6조
**반도체(메모리/파운드리) + 모바일/가전 + 디스플레이 + 차량(하만)**의 복합 지배자
DRAM(3Q25): 삼성 32.6% (2위), SK hynix 33.2%, Micron 25.7%
NAND(3Q25): 삼성 32.3% (1위)
스마트폰(3Q25): 삼성 점유 18.8% / 61.4M대 출하
파운드리(2Q25): 삼성 7.3%, TSMC 70.2%
DRAM 계약가격 급등 전망(4Q25): +45~50% QoQ, 총 계약가격(포함 HBM) +50~55% QoQ
NAND: AI 인프라가 eSSD 수요를 밀어올려 가격 상승(4Q25 +20~25%)
메모리: 상위권 유지(DRAM 2위, NAND 1위)
파운드리: TSMC와 격차가 ‘구조적’(7.3% vs 70.2%)
S: 초거대 현금(순현금 100조+), R&D 37.7조(매출 11%대), 메모리 리더십
W: 파운드리 점유율 열세, 주주환원(배당수익률) 박약
O: AI 서버/메모리(HBM4 포함) 확장, 데이터센터 투자 확대
T: 대중(對中) 수출 규제·지정학, 메모리 사이클 급변
이사회 구성: 사내 3 + 사외 6(사외 과반)
지배구조 개선 트랙: 의장-대표 분리(정관/규정 개정) + 사외 의장 선임 강화
주주환원(24~26): FCF의 50% 환원, 정규배당 연 9.8조 유지
정량(현실): **현금창출(영업CF 85.32조) + CAPEX(유형자산 증가 47.52조)**로 기술전쟁을 지속
해자 유형 판정
규모의 경제: 메모리(삼성급 CAPEX/캐파는 ‘진입장벽’)
지적재산/공정 노하우: 선단 공정·패키징 축적(단, 파운드리는 약점)
전환비용: 서버/데이터센터 메모리 인증·검증(고객 락인)
결론: “메모리는 해자가 있고, 파운드리는 전쟁터다.”
DS(반도체): 4Q25 매출 44.0조 / 영업이익 16.4조
MX/네트워크: 4Q25 매출 29.3조 / 영업이익 1.9조
디스플레이(SDC): 4Q25 매출 9.5조 / 영업이익 2.0조
VD/DA: 4Q25 매출 14.8조 / 영업손실 0.6조
Harman: 4Q25 매출 4.6조 / 영업이익 0.3조
가격: 190,100원, 52주 범위 52,500 ~ 190,900원(고점권)
이동평균(1일 기준): MA5~MA200 전부 ‘매수’, 요약 적극 매수
RSI(14) 72.175 = 과열권 진입
STOCH(9,6) 99.672 = 과량매입
MACD(12,26) 매수, ADX(14) 50.865 = 강한 추세
피벗(클래식): Pivot 189,767, 1차 저항 190,234, 1차 지지 189,434
거래량 23.23M, 3개월 평균 25.19M → 상승은 했지만, 에너지는 평균 이하
공식 실적: FY25 매출 333.6조 / 영업이익 43.6조, 4Q25 영업이익 20.1조(분기 최고)
업황(메모리): DRAM 매출/점유 구도 및 가격 급등(TrendForce)
리스크(규제/중국): 수출 규제·재고조정 등으로 이익 급락 사례(’25년)
‘18만전자’ 돌파 구간에서 **온라인 밈 확산(과열 심리)**이 기사화됨
종목토론방/커뮤니티는 조작 이슈로 규제 강화(네이버 쪽 제약 강화 보도)
가격(고점권) + RSI(과열) + 실적(폭발) = “승리의 흥분 상태”
단, 이 흥분은 메모리 가격/공급 타이트라는 외생변수에 묶여 있다.
한국 CPI(’26.1): 전년동월 +2.0%(공식 발표)
미국 금리: 연준 3.5~3.75% 목표범위(’26.1 기준)
금리 레벨은 반도체 ‘밸류에이션’에 직접 타격/가속을 준다(할인율).
한국 ‘코리아 디스카운트’/지배구조 개정 논쟁(상법 개정안 거부권 등)
대중 수출통제(첨단칩/AI메모리) 리스크는 실적으로도 반영된 전례가 있다.
AI 데이터센터 CAPEX 급증(‘26년 8,000억달러 언급 등) → 메모리 수요의 “구조적” 버팀목
현재 사이클 판정: 메모리 공급 타이트 + 가격 급등 구간
사이클의 본질: 과잉투자 → 폭락 → 감산 → 급등. 너 같은 중생들이 여기서 매번 찢긴다.
반도체(메모리)로 돈 벌고, 파운드리는 추격전, 세트는 방어전.
현재는 고점권 + 과열 지표(RSI>70, STOCH 과량매입).
조건 A(메모리 가격 상승 지속): 실적 모멘텀 유지 → 고평가 부담 완화(Forward PER의 근거).
조건 B(가격 상승 둔화/규제 충격): 고점권 주가는 되돌림이 빠르다(과열 구간의 숙명).
메모리 가격 꺾임
대중 규제/지정학
파운드리 격차 장기화
주주환원 매력 낮음(배당수익률 0%대)
과열 심리(밈/커뮤니티 열광)
추격매수 금지: RSI 70대는 “승리의 대가” 구간이다.
분할 접근: 피벗/지지(189,767 / 189,434 등) 같은 구조적 가격대 중심으로만 분할.
리스크 컷: 규제/업황 뉴스로 ‘갭’이 나오면 손절은 감정이 아니라 규칙이다.
장기 관점 핵심 체크 3개:
DRAM/NAND 가격 추세(TrendForce류)
DS(반도체) 영업이익 지속성
주주환원(24~26 FCF 50% 정책 실제 집행)